一种集成箝位二极管的半导体功率器件
基本信息
| 申请号 | CN202011000415.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112216691A | 公开（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申请公布号 | CN112216691A | 申请公布日 | 2021-01-12 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 原小明 | 申请（专利权）人 | 南京江智科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人 | 南京江智科技有限公司 |
| 地址 | 210000 江苏省南京市江北新区惠达路6号北斗大厦9楼902室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种屏蔽栅结构位于有源区、沟槽式场板终端区围绕有源区周围的半导体功率器件。连接在漏金属和源金属(或栅金属)之间的齐纳二极管，用作SD(或GD)箝位二极管。沟槽式场板终端区围绕在有源区的周围，其中，仅有芯片阵列的存在并不会导致集成SD或GD多晶硅箝位二极管时，击穿电压的下降。 |
