一种屏蔽栅沟槽式金属氧化物半导体场效应管
基本信息
| 申请号 | CN202010757457.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111969059A | 公开（公告）日 | 2020-11-20 |
| 申请公布号 | CN111969059A | 申请公布日 | 2020-11-20 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 原小明 | 申请（专利权）人 | 南京江智科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人 | 南京江智科技有限公司 |
| 地址 | 210000 江苏省南京市江北新区惠达路6号北斗大厦9楼902室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种改进的包含多个沟槽栅的沟槽式半导体功率器件，每个沟槽栅均包括一对分裂栅电极和一个屏蔽栅电极，在相邻沟槽栅之间形成一个氧化层电荷平衡区，并在沟槽底部形成结电荷平衡区。所述沟槽式半导体功率器件还进一步包括一个超级结结构，所述超级结结构包括多个位于衬底之上的、交替排列的P区和N区，在氧化层电荷平衡区下方形成一个结电荷平衡区，本发明的结构可以有效提高击穿电压、降低导通电阻。 |
