一种功率半导体集成器件
基本信息
| 申请号 | CN201911225848.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111048589A | 公开（公告）日 | 2020-04-21 |
| 申请公布号 | CN111048589A | 申请公布日 | 2020-04-21 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谢福渊 | 申请（专利权）人 | 南京江智科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人 | 南京江智科技有限公司 |
| 地址 | 210000 江苏省南京市江北新区惠达路6号北斗大厦9楼902室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种包括屏蔽栅沟槽式金属氧化物半导体场效应管单元(SGT MOSFET)和超级势垒整流器(SBR)单元的集成电路，其中，SBR与SGT MOSFET位于同一芯片的不同位置。SBR单元为MOS沟道中的多数载流子提供了一个低势垒的环境，因此相比与传统的肖特基整流器来说，具有更低的反向电压和更低的反向漏电流。同时，在一些优选的实施例中，屏蔽栅结构采用了多阶梯状氧化物(MSO)结构，以进一步降低导通电阻。 |
