一种屏蔽栅沟槽式MOSFET及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201911226821.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111081779A | 公开（公告）日 | 2020-04-28 |
| 申请公布号 | CN111081779A | 申请公布日 | 2020-04-28 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/45;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 原小明 | 申请（专利权）人 | 南京江智科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人 | 南京江智科技有限公司 |
| 地址 | 210000 江苏省南京市江北新区惠达路6号北斗大厦9楼902室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种包括ESD钳位二极管的屏蔽栅沟槽式MOSFET及其制造方法。根据本发明的N沟道屏蔽栅沟槽式MOSFET，具有n+掺杂的屏蔽电极，且在制造过程中只需要提供两次多晶硅层。这使得，当通过缩小屏蔽栅的宽度以降低Rds并减小器件尺寸时，不会引起更高的开关损耗，且不会引起动态雪崩的不稳定性。 |
