一种新型的高压MOS管
基本信息
| 申请号 | CN201920583652.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209947841U | 公开（公告）日 | 2020-01-14 |
| 申请公布号 | CN209947841U | 申请公布日 | 2020-01-14 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）; H01L23/057（2006.01）; H01L23/367（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 原小明; 胡敬全; 谷万忠 | 申请（专利权）人 | 南京江智科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州拓云知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 南京江智科技有限公司 |
| 地址 | 210000 江苏省南京市江北新区惠达路6号北斗大厦9楼902室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种新型的高压MOS管，包括源极、栅极、漏极、基底、下包胶、上包胶和外延层，所述外延层设置在基底上方，外延层顶部中部设置有第二阱区，第二阱区左右两侧分别设置有第一阱区和第三阱区，所述源极底部与第一阱区连接，漏极底部与第三阱区连接，所述第二阱区顶部设置有第二绝缘氧化层，且栅极底部与第二绝缘氧化层连接，所述外延层顶部左右两侧均设置有第一绝缘氧化层，所述下包胶设置在基底下方，上包胶设置在栅极上方，本实用新型的有益效果是：第二阱区作用于增加第一阱区与第三阱区之间的电阻，从而增加击穿电压；外延层与基底之间设置有散热层，能够在电压到达击穿电压时对基底进行保护，增加基底的使用寿命。 |
