功率半导体模块衬底及其所应用的功率半导体设备
基本信息
| 申请号 | CN202010553174.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111682021A | 公开（公告）日 | 2020-09-18 |
| 申请公布号 | CN111682021A | 申请公布日 | 2020-09-18 |
| 分类号 | H01L25/16(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈敏;周宇;高洪艺;李永皓;夏雨昕;孙欣楠;沈捷;李武华 | 申请（专利权）人 | 上海临港电力电子研究有限公司 |
| 代理机构 | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海临港电力电子研究有限公司 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区泥城镇云汉路979号2楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开实施例提供一种功率半导体模块衬底及设备，属于半导体技术领域。其中功率半导体模块衬底包括的第一桥臂单元包括：衬底基底，以及设置于衬底基底上的沿第一方向依次设置的第二功率金属敷层、第一功率金属敷层和第三功率金属敷层；第一功率金属敷层的靠近第二功率金属敷层的一侧设有沿第二方向延伸的第一镂空结构，第三功率金属敷层的远离第一功率金属敷层的一侧设有沿第二方向延伸的第二镂空结构，第一辅助金属敷层设置于第一镂空结构内，第二辅助金属敷层设置于第二镂空结构内。这样，功率半导体模块衬底的布局紧凑合理，保证了电流分布的均匀，均衡半导体芯片之间的杂散参数，均衡信号端子到各芯片控制电极之间的距离和杂散参数。 |
