半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110372849.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113380621A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113380621A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | H01L21/31（2006.01）I;H01L21/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈宇;杨彦涛;李文博;蒋利云;朱新建 | 申请（专利权）人 | 厦门士兰集科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;李镇江 |
| 地址 | 361012福建省厦门市海沧区兰英路89号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构；位于衬底上方的第一介质层，第一介质层中设置有第一类接触孔和第二类接触孔，第一类接触孔和第二类接触孔贯穿第一介质层；位于第一介质层上方的元胞区金属电极和终端区金属电极，元胞区金属电极填充第一类接触孔，终端区金属电极填充第二类接触孔；位于所述第一介质层上方的第二介质层，第二介质层填充元胞区金属电极和终端区金属电极间的间隙；位于第二介质层上方的钝化层，钝化层暴露出部分元胞区金属电极和部分第一介质层，部分钝化层或第二介质层位于终端区金属电极的外围。本发明实施例的半导体器件提高了半导体器件的可靠性。 |
