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一种单晶炉二次加料装置以及加料方法

基本信息

申请号 CN201310193424.X 申请日 -
公开（公告）号 CN103243381A 公开（公告）日 2013-08-14
申请公布号 CN103243381A 申请公布日 2013-08-14
分类号 C30B15/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 李炜;王林;马鑫;许雪松;刘杰 申请（专利权）人 上海九晶电子材料股份有限公司
代理机构 上海天翔知识产权代理有限公司 代理人 吕伴
地址 201617 上海市松江区长塔路399号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种单晶炉二次加料装置以及加料方法，装置包括吊盘，吊盘的上部设置有复数个挂钩，该加料装置设置有复数套硅片料层，复数套硅片料层中最上层硅片料包括长硅片料和短硅片料，最上层硅片料之间采用采用耐高温横连接件连接，最上层硅片料与吊盘之间采用耐高温竖直连接件连接，其余层硅片料之间通过硅销连接，其余层硅片料层与层之间采用硅片料本身连接，两层硅片料之间采用硅片料中的长硅片料连接。本发明能直接使用片块状硅料、无容器污染、成本较低且操作方便，可使石英坩埚得到充分利用，并且可根据石英坩埚情况重复加料，两次加料后石英坩埚成本可降50%以上，能大幅提搞生产效率，降低生产成本且操作简单。