原位测试LED芯片附着层导热率的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

原位测试LED芯片附着层导热率的方法

基本信息

申请号	CN202210282545.0	申请日	-
公开（公告）号	CN114674868A	公开（公告）日	2022-06-28
申请公布号	CN114674868A	申请公布日	2022-06-28
分类号	G01N25/20（2006.01）I	分类	测量；测试;
发明人	易典;王荣福	申请（专利权）人	深圳市汉嵙新材料技术有限公司
代理机构	华进联合专利商标代理有限公司	代理人	-
地址	518100广东省深圳市光明新区公明街道上村社区冠城低碳产业园D栋1001
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种原位测试LED芯片附着层导热率的方法，其包括如下步骤：获取多个测试工件，获取各测试工件的截面面积及芯片附着层的厚度；将测试工件置于温度恒定的环境下通电，通电时依次向各测试工件施加多个电流值不相同的加热电流，对应获取施加各电流时测试工件的电功率PE、光功率PL及LED功能主体的温度Tj，将获得的数据以PE‑PL为自变量、以Tj为因变量进行线性拟合，拟合所得直线的斜率为总热阻Rth；以测试工件中芯片附着层的厚度d为自变量、以各测试工件的总热阻Rth为因变量进行线性拟合，所得直线的斜率为芯片附着层单位厚度上的热阻Rs。上述原位测量LED芯片附着层导热率的方法的测量精度处于5％以内，能够实现对于芯片附着层的导热率的测量。