一种MOCVD反应系统
基本信息
| 申请号 | CN201911248872.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113025995A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113025995A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | C23C16/455;C23C16/46 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 田卡;熊旭明;林向阳;迮建军;蔡渊 | 申请（专利权）人 | 苏州新材料研究所有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 范晴;程东辉 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园C18栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种MOCVD反应系统，包括：MOCVD反应腔室，布置于所述MOCVD反应腔室内的加热板，布置于所述加热板上方的喷淋器；所述喷淋器具有朝向所述加热板方向喷射金属有机源气体的喷淋孔；所述喷淋器上固定连接有分别挡在所述喷淋孔左、右两侧的两块挡板。本申请可提高金属有机源气体进入MOCVD反应腔室时的混合效率和均匀性，进而提升超导薄膜质量。 |
