一种基于铟镓砷的波长拓展型红外探测器的外延片结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911026640.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110634969A | 公开（公告）日 | 2019-12-31 |
| 申请公布号 | CN110634969A | 申请公布日 | 2019-12-31 |
| 分类号 | H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/105;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾亮亮 | 申请（专利权）人 | 南昌鼎创光电科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 南昌鼎创光电科技有限责任公司 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区京东大道168号(光电厂房)一层北侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于铟镓砷的波长拓展型红外探测器的外延片结构，包括InP衬底，所述InP衬底顶部设有In0.53Ga0.47As腐蚀阻止层，所述In0.53Ga0.47As腐蚀阻止层顶部设有InP缓冲层，所述InP缓冲层顶部设有In0.53Ga0.47As吸收层，所述In0.53Ga0.47As吸收层顶部设有非掺杂的本征InP层，所述非掺杂的本征InP层顶部设有In0.53Ga0.47As接触层。采用In0.53Ga0.47As接触层，克服了电极金属和InP之间的接触电阻问题，形成了良好的欧姆接触，器件的串联电阻明显降低；采用衬底去除的方法，成功将短波红外探测器的响应光谱延伸到可见光，实现了可见光‑短波红外的宽光谱探测，大大丰富了成像目标的信息和识别率。 |
