一种低粗糙度硅抛光片的加工方法
基本信息
| 申请号 | CN200710044155.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101352829B | 公开（公告）日 | 2012-01-11 |
| 申请公布号 | CN101352829B | 申请公布日 | 2012-01-11 |
| 分类号 | B24B29/00(2006.01)I;B24B1/00(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;C09G1/04(2006.01)I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 李继光;顾凯峰 | 申请（专利权）人 | 无锡光炜电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 上海世贸专利代理有限责任公司 | 代理人 | 严新德 |
| 地址 | 201617 上海市松江区闵塔路808号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种低粗糙度硅抛光片的加工方法，包括一个利用抛光机对硅单晶片进行抛光处理的过程，该过程中顺序包括有粗抛过程、中抛过程和精抛过程，在精抛过程中，利用抛光布对硅单晶片进行抛光加工，在抛光布和硅单晶片表面之间引进精抛浆，精抛浆由纯水和活化剂组成。本发明加工的硅片的表面粗糙度可以提高到3-5，性能稳定，电阻率均匀。 |
