一种真空镀膜晶振信号近距离处理装置及真空镀膜设备

基本信息

申请号 CN202110411824.8 申请日 -
公开(公告)号 CN113122817A 公开(公告)日 2021-07-16
申请公布号 CN113122817A 申请公布日 2021-07-16
分类号 C23C14/54(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 战永刚;冯红涛;战捷;周林;尹强 申请(专利权)人 深圳市三束镀膜技术有限公司
代理机构 深圳市中科创为专利代理有限公司 代理人 刘曰莹;彭涛
地址 518000广东省深圳市龙华区福城街道福民社区核电工业园5号101
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种真空镀膜晶振信号近距离处理装置及真空镀膜设备,该处理装置包括容置腔体和晶控系统,所述容置腔体固定于真空室的工件架内并随所述工件架运动,所述容置腔体的顶部密封连接一管道,所述管道穿过所述工件架和真空室与外部大气相连通;所述管道与所述工件架间、所述管道与所述真空室间均密封连接;所述晶控系统包括:晶控探头、振荡包、膜厚控制仪,所述振荡包和所述膜厚控制仪通信连接,并安装于所述容置腔体内,所述晶控探头安装于工件架上,所述晶控探头通过一信号线与容置腔体内的振荡包相连接;所述信号线与所述容置腔体间密封连接。本发明解决了“跳晶控”问题,保证了镀膜操作的稳定性。