防止硅片电阻局部放电失效的方法、结构及功率半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201911368420.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113053856A | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN113053856A | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | H01L23/60;H01L27/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 齐放;李道会;王彦刚;戴小平 | 申请（专利权）人 | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 周长清;廖元宝 |
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼1楼101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种防止硅片电阻作为门极电阻产生局部放电失效的方法、结构及功率半导体器件，属于高压功率模块技术领域，用于解决由于硅片电阻作为门极电阻产生局部放电失效的问题。采用的技术方案为：通过绑定线或者优化衬板或者优化硅片电阻的方式，使得硅片电阻上下表面的电位处于同一水平，进而使得硅片电阻整体处于同一电位水平。本发明的方法、结构及功率半导体器件具有操作简便、避免硅片电阻作为门极电阻出现局部放电失效、消除电荷积累，提高工作可靠性等优点。 |
