功率端子、功率模块封装结构及封装方法

基本信息

申请号 CN201911337841.0 申请日 -
公开(公告)号 CN111162051B 公开(公告)日 2021-08-03
申请公布号 CN111162051B 申请公布日 2021-08-03
分类号 H01L23/492;H01L23/49;H01L23/60;H01L21/60 分类 基本电气元件;
发明人 戴小平;齐放;李道会;李想;吴义伯;王彦刚 申请(专利权)人 湖南国芯半导体科技有限公司
代理机构 北京聿宏知识产权代理有限公司 代理人 吴大建;何娇
地址 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼一楼101室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种功率端子、功率模块封装结构及封装方法,涉及功率模块领域,其用于实现应用电路的低电感设计。发明的功率端子,包括输出端子和输入端子,输入端子包括层叠设置的正极端子和负极端子,正极端子和负极端子相互平行且具有相同的宽度。通过将正极端子和负极端子层叠设置,使二者尽量平行对称,从而在功率器件环流中,正负功率端子之间会形成大小相同、方向相反的电流,磁场相消,从而降低回路的杂散电感。