功率端子、功率模块封装结构及封装方法
基本信息
申请号 | CN201911337841.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111162051B | 公开(公告)日 | 2021-08-03 |
申请公布号 | CN111162051B | 申请公布日 | 2021-08-03 |
分类号 | H01L23/492;H01L23/49;H01L23/60;H01L21/60 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 戴小平;齐放;李道会;李想;吴义伯;王彦刚 | 申请(专利权)人 | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴大建;何娇 |
地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼一楼101室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种功率端子、功率模块封装结构及封装方法,涉及功率模块领域,其用于实现应用电路的低电感设计。发明的功率端子,包括输出端子和输入端子,输入端子包括层叠设置的正极端子和负极端子,正极端子和负极端子相互平行且具有相同的宽度。通过将正极端子和负极端子层叠设置,使二者尽量平行对称,从而在功率器件环流中,正负功率端子之间会形成大小相同、方向相反的电流,磁场相消,从而降低回路的杂散电感。 |
