一种碳化硅MOSFET驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN201911366027.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113054829A | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN113054829A | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | H02M1/088;H02M1/38;H02M1/12;H02H7/12 | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 刘洋;齐放;曾亮;柯攀;戴小平 | 申请（专利权）人 | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 周长清;廖元宝 |
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼1楼101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅MOSFET驱动电路，包括抗桥臂串扰电路，所述抗桥臂串扰电路包括驱动芯片U1、电容C5和开关管T1，所述驱动芯片U1的输出端与所述电容C5的一端相连，并与碳化硅MOSFET的栅极相连；所述电容C5的另一端与所述开关管T1的集电极相连，所述开关管T1的发射极与所述碳化硅MOSFET的源极相连且与接地端GND3相连，所述开关管T1的基极与所述碳化硅MOSFET的栅极相连。本发明的碳化硅MOSFET驱动电路具有结构简单、防止桥臂串扰、抑制共模干扰、短路保护及过压保护等优点。 |
