基于表面改性低温合成制备氮化硅陶瓷粉体的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于表面改性低温合成制备氮化硅陶瓷粉体的方法

基本信息

申请号	CN201811611788.4	申请日	-
公开（公告）号	CN109437921A	公开（公告）日	2019-03-08
申请公布号	CN109437921A	申请公布日	2019-03-08
分类号	C04B35/591（2006.01）I; C04B35/622（2006.01）I; C04B35/626（2006.01）I	分类	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人	张宁; 茹红强; 茹敬雨	申请（专利权）人	沈阳金瓷科技开发有限责任公司
代理机构	沈阳东大知识产权代理有限公司	代理人	沈阳金瓷科技开发有限责任公司
地址	110044 辽宁省沈阳市和平区长白东路27号（2-17-1）
法律状态	-

摘要

一种基于表面改性低温合成制备氮化硅陶瓷粉体的方法，包括以下步骤：(1)准备二氧化硅超细粉体，氨水，表面活性剂；(2)将二氧化硅超细粉体、氨水、表面活性剂置于无水乙醇中，形成浆料后继续搅拌1～10小时；(3)过滤后再置于无水乙醇中搅拌，然后二次过滤分离去除液相；(4)在搅拌条件下，连同酚醛树脂一起加入到无水乙醇中，搅拌形成糊状体；烘干后研磨；(5)加入氮源混合研磨；(6)置于加热炉中，在加热炉内气压高于大气压下升温至800～1000℃，进行氮化合成反应；(7)置于电阻炉内，在550～650℃条件下除碳。本发明的方法通过表面改性增加相容性，利用氮源分解产生高活性氨气，原位发生碳热还原反应，实现低温合成氮化硅。