基于表面改性低温合成制备氮化硅陶瓷粉体的方法
基本信息
| 申请号 | CN201811611788.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109437921B | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN109437921B | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | C04B35/591（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I;C04B35/626（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 张宁;茹红强;茹敬雨 | 申请（专利权）人 | 沈阳金瓷科技开发有限责任公司 |
| 代理机构 | 沈阳东大知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁焱 |
| 地址 | 110044辽宁省沈阳市和平区长白东路27号（2-17-1） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种基于表面改性低温合成制备氮化硅陶瓷粉体的方法，包括以下步骤：（1）准备二氧化硅超细粉体，氨水，表面活性剂；（2）将二氧化硅超细粉体、氨水、表面活性剂置于无水乙醇中，形成浆料后继续搅拌1～10小时；（3）过滤后再置于无水乙醇中搅拌，然后二次过滤分离去除液相；（4）在搅拌条件下，连同酚醛树脂一起加入到无水乙醇中，搅拌形成糊状体；烘干后研磨；（5）加入氮源混合研磨；（6）置于加热炉中，在加热炉内气压高于大气压下升温至800～1000℃，进行氮化合成反应；（7）置于电阻炉内，在550～650℃条件下除碳。本发明的方法通过表面改性增加相容性，利用氮源分解产生高活性氨气，原位发生碳热还原反应，实现低温合成氮化硅。 |
