一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备

基本信息

申请号	CN201110125905.8	申请日	-
公开（公告）号	CN102145894B	公开（公告）日	2013-06-05
申请公布号	CN102145894B	申请公布日	2013-06-05
分类号	C01B33/037(2006.01)I	分类	无机化学;
发明人	谭毅;战丽姝;姜大川;顾正;邹瑞洵	申请（专利权）人	大连隆盛科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	266000 山东省青岛市即墨市普东镇太阳能产业基地
法律状态	-

摘要

本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法，在熔炼坩埚中加热熔化造渣剂形成造渣剂熔液，并保持其液态，同时通过加料装置向水冷铜坩埚中连续加入高磷、高硼和高金属的多晶硅料，硅料在电子束轰击下熔化成硅熔液，并熔炼去除杂质磷；除磷后的低磷硅熔液导流进入到造渣剂熔液之中，在熔入的过程中，硅熔液中的杂质硼与造渣剂反应去除杂质硼，加满料后将熔炼坩埚中的熔液加热保持液态熔炼3-10分钟，定向凝固，切去硅锭顶部废渣及金属含量较高的硅块即可。本发明综合利用电子束熔炼除磷、渣滤熔炼除硼及定向凝固除金属的技术去除多晶硅中的磷、硼和金属杂质，提纯效果好，生产效率高，适合批量生产。