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一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法

基本信息

申请号 CN201110125903.9 申请日 -
公开（公告）号 CN102139880B 公开（公告）日 2013-07-31
申请公布号 CN102139880B 申请公布日 2013-07-31
分类号 C01B33/037(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 谭毅;战丽姝;邹瑞洵 申请（专利权）人 大连隆盛科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 266000 山东省青岛市即墨市普东镇太阳能产业基地
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，将洗净后的多晶硅料及造渣剂均匀混合形成混合料；再预处理：将混合料放入电子束熔炼炉内的熔炼坩埚中，对熔炼坩埚进行坩埚水冷，预热电子枪；采用小束流电子束轰击混合料，混合料熔化后增大电子束至250-500mA进行熔炼，杂质硼在熔炼过程中与碱性造渣剂反应生成气体挥发而去除，冷却凝固得到低硼的多晶硅锭。本发明采用了电子束造渣熔炼的技术，结合了造渣除硼和电子束除去挥发性杂质的特点，工艺更加简单，有效将电子束与造渣工艺结合，工艺条件温和易于操作，生产周期短，节能降耗，提纯效果好，技术稳定，生产效率高。