一种波导型光电探测器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811379149.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111211181B | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN111211181B | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L31/0232（2014.01）I;H01L31/028（2006.01）I;H01L31/105（2006.01）I;H01L31/109（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪巍;方青;余明斌 | 申请（专利权）人 | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 北京知元同创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘元霞 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区城北路235号3号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种波导型光电探测器及其制造方法，该波导型光电探测器包括：位于衬底表面的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层表面的下接触层；位于所述下接触层表面的光电转换层，所述光电转换层的材料包含锗（Ge）；位于所述光电转换层表面的上接触层；以及形成于所述第一绝缘层上方的氮化硅波导，所述氮化硅波导在平行于所述衬底表面的横向上延伸，并且，在所述横向上，所述氮化硅波导的一个端部与所述光电转换层连接，所述氮化硅波导传递的光入射到所述光电转换层，并在所述光电转换层中生成光电流。根据本实施例，由SiN形成波导，因此，能提高光的传输效率；并且，SiN波导与光电转换层端面耦合，能提高光探测效率。 |
