一种半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710861660.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109545671B | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN109545671B | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L21/18（2006.01）I;G01L9/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁凯智 | 申请（专利权）人 | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 北京知元同创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘元霞 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区城北路235号3号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：在第一基片的正面形成传感器结构和/或电路；在第二基片的正面形成第一凹陷部；所述第一基片的正面与所述第二基片的正面结合，其中，所述第一基片与所述第一凹陷部围合成腔体，并且，所述传感器结构和/或所述电路位于所述腔体的横向区域内；从所述第一基片的背面减薄所述第一基片，减薄后的所述第一基片成为转移薄膜；以及刻蚀所述转移薄膜，以在所述转移薄膜中形成贯通所述转移薄膜并且与所述腔体连通的贯通部，所述贯通部位于所述传感器结构和/或所述电路周围。根据本申请，能够充分释放半导体器件中的应力。 |
