一种建立晶圆形貌OPC模型的方法
基本信息
| 申请号 | CN201711012988.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107844644B | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN107844644B | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | G06F30/3308 | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 时雪龙 | 申请（专利权）人 | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种建立晶圆形貌OPC模型的方法：S01：将成像系统中的部分相干光分解为独立的成像核Φi；S02：计算从Φi来的不同的平面波到晶圆表面的入射场；S03：计算Φi在晶圆表面上的反射场；S04：分别计算Φi在晶圆表面上的散射场；其中，晶圆表面发生散射的地方为散射源，Φi在晶圆表面上的散射场为各个散射源散射光的总和；S05：计算晶圆表面成像系统中的部分相干光在光刻胶中的总光强分布函数；S06：将上述总光强分布函数带入OPC模型中进行待曝光光罩的OPC修正。本发明提供的计算方法可以准确计算晶圆表面光刻胶中的总光强分布函数，使得OPC模型精度得到改善，从而提高半导体器件性能和可靠性。 |
