一种全息光栅模板及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910785400.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110456435B | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN110456435B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | G02B5/18（2006.01）I;G02B5/32（2006.01）I;G03F7/00（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 杨渝书;伍强;李艳丽 | 申请（专利权）人 | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹廷廷 |
| 地址 | 201210上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种全息光栅模板及其制备方法，全息光栅模板的制备方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成有硬掩模层和图形化的光刻胶层，光刻胶层具有图形；以图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀硬掩模层，将图形复制至硬掩模层中，以形成图形化的硬掩模层；对衬底执行离子注入工艺，在离子注入区得到光栅模板图形区；刻蚀硬掩模层并暴露出衬底；刻蚀衬底的非离子注入区，以暴露出光栅模板图形区，并形成全息光栅模板。通过离子注入工艺得到所需形状的光栅结构区，经过高刻蚀选择比刻蚀保留光栅结构区，从而得到全息光栅模板，工艺难度较低，工艺可行性高；通过在衬底上直接形成光栅结构区，避免了光刻工艺的转版步骤，减少了工艺步骤，降低了生产成本。 |
