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一种超突变变容二极管

基本信息

申请号 CN202110747919.7 申请日 -
公开（公告）号 CN113488546A 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN113488546A 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L29/93（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 马文力;董文俊;张雪飞;李浩;徐婷 申请（专利权）人 扬州国宇电子有限公司
代理机构 南京源点知识产权代理有限公司 代理人 罗超;黄启兵
地址 225000江苏省扬州市吴州东路188号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种超突变变容二极管，包括：N型重掺杂衬底；N型轻掺杂外延层，设置于所述N型重掺杂衬底上方；P型重掺杂层，设置于所述N型轻掺杂外延层内上部，所述P型重掺杂层向下延伸出若干个凸起一，若干个所述凸起一均呈柱状且相互间隔分布；N型掺杂缓冲层，设置于所述N型轻掺杂外延层和所述P型重掺杂层之间。该超突变变容二极管P型重掺杂层和N型掺杂缓冲层的剖面呈插值状延伸入N型轻掺杂外延层内，使得在不增加反偏结电容的前提下，增大了器件的零偏结电容，从而显著增大器件的变容比。