一种台面射频PIN二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110689168.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437157A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437157A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L29/868（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐婷;马文力 | 申请（专利权）人 | 扬州国宇电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京源点知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗超;黄启兵 |
| 地址 | 225000江苏省扬州市吴州东路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种台面射频PIN二极管及其制备方法。该种台面射频PIN二极管，包括：N型重掺杂衬底，N型重掺杂衬底包括底层和顶层，顶层上方依次设置有高阻本征层和P型重掺杂层，在P型重掺杂层上表面设置有PtSi掺杂部；其中，顶层、P型重掺杂层、高阻本征层共同构成一个三层的柱形体；钝化层，设置于底层上方，钝化层包覆柱形体，钝化层在柱形体上方开设有通孔；在P型重掺杂层上方设有正面多层金属，正面多层金属穿过通孔与P型重掺杂层接触。该种台面射频PIN二极管在P型重掺杂层上表面设置有PtSi掺杂部，从而抑制表面电荷，提高产品可靠性。 |
