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一种垂直型恒流二极管的测试结构及其制备方法和应用

基本信息

申请号 CN202110209032.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112928100A 公开（公告）日 2021-06-08
申请公布号 CN112928100A 申请公布日 2021-06-08
分类号 H01L23/544;H01L21/66;H01L29/861;H01L21/329 分类 基本电气元件;
发明人 李浩;马文力;董文俊 申请（专利权）人 扬州国宇电子有限公司
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 代理人 罗超
地址 225000 江苏省扬州市吴州东路188号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了二极管技术领域内的一种垂直型恒流二极管的测试结构及其制备方法和应用，该测试结构应用于方阵分布有二极管芯片的晶圆，测试结构包括设置于晶圆划片道区域的增强型MOS结构、横向导电条和纵向导电条：MOS结构与二极管芯片对应设置有多个，MOS结构的漏极与对应二极管芯片的阴极相连；横向导电条和纵向导电条分别与二极管芯片行数及列数对应设置有多条并间隔设置于二极管芯片之间，同一行MOS结构的源极分别与对应横向导电条连接，同一列MOS结构的栅极分别与对应纵向导电条连接，所有横向导电条和纵向导电条端部分别设置有测试触点。针对二极管芯片数量较多的晶圆，通过该测试结构能大幅提高测试效率。