一种大功率高压肖特基势垒二极管
基本信息
| 申请号 | CN202011181382.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112289867B | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN112289867B | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马文力;李浩;徐婷 | 申请（专利权）人 | 扬州国宇电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京源点知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗超 |
| 地址 | 225000江苏省扬州市吴州东路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了二极管技术领域内的一种大功率高压肖特基势垒二极管，包括：背面金属层；N+衬底，N+衬底设置于背面金属层上方；N外延层，N外延层设置于N+衬底上方，N外延层上部设置有重掺杂阳极区；金属硅化物层，金属硅化物层设置于N外延层上方，金属硅化物层与重掺杂阳极区接触；正面金属层，正面金属层设置于金属硅化物层上方且覆盖金属硅化物层。该二极管的重掺杂阳极区配合其上的金属硅化物层和正面金属层形成独立的ESD放电区，减少对二极管SSG能力的影响，能够使芯片同时获得极高的ESD能力和SSG能力，从而大幅提升器件的可靠性。 |
