一种深紫外LEDs制备方法及深紫外LEDs
基本信息
| 申请号 | CN202011610434.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695603A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695603A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L33/40（2010.01）I;H01L33/42（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈洋;孙晓娟;黎大兵;蒋科;贲建伟;张山丽 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 代理机构 | 深圳市科进知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 130033吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的深紫外LEDs制备方法，以过原位生长的图案化石墨烯作为深紫外LEDs的p接触层，同时利用原位掺杂方法调控石墨烯的能级，替代传统的紫外光吸收p‑GaN接触层材料，进而提高深紫外LEDs的光取出效率，本发明提供的深紫外LEDs制备方法为制备高功率、顶出射的深紫外LEDs提供了一种简便、可行的新方案。另外，本发明还提供了一种由上述制备方法制备得到的深紫外LEDs。 |
