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一种减反射膜抗PID性能的测试方法

基本信息

申请号 CN201610755545.2 申请日 -
公开（公告）号 CN106253850B 公开（公告）日 2018-09-14
申请公布号 CN106253850B 申请公布日 2018-09-14
分类号 H02S50/10 分类 发电、变电或配电;
发明人 崔会英;钱亮;蒋硕;仲崇娇;嵇友谊;钱晟浩 申请（专利权）人 奥特斯维能源（太仓）有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 巩克栋;侯桂丽
地址 610000 四川省成都市高新区成灌路西段839号
法律状态 -

摘要

摘要 一种减反射膜抗PID性能的测试方法，包括如下步骤：(1)将硅片清洗、制绒、镀减反射膜、烧结退火；(2)在步骤(1)所得硅片表面连续撒电荷，同时检测硅片表面的电压值；(3)对比硅片表面电压与电荷量，若硅片表面电压随着电荷量呈线性增加，则说明减反射膜绝缘性能较好，则后续的电池或组件具备抗PID性能好；否则说明减反射膜绝缘性能较差，后续的电池或组件抗PID性能较差。本发明提供的测试方法可在电池制造过程中快速准确地测试减反射膜抗PID效应，从而减少组件测试中带来的浪费。