一种管式PECVD沉积氮化硅的工艺
基本信息
| 申请号 | CN201610748278.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106299025B | 公开（公告）日 | 2018-09-14 |
| 申请公布号 | CN106299025B | 申请公布日 | 2018-09-14 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/318;C23C16/34;C23C16/505;C23C16/511;C23C16/52 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈文浩;王冕;奚彬;刘仁中 | 申请（专利权）人 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 巩克栋;侯桂丽 |
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区成灌路西段839号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种管式PECVD沉积氮化硅的工艺，使用两步镀膜，镀第一层膜时使用的温度低于镀第二层膜时使用的温度。本发明提供的沉积工艺提高管式PECVD沉积氮化硅薄膜对晶硅太阳电池的钝化减反射效果以及降低工艺时间。 |
