一种光电探测器制备方法及制备的广角光电探测器
基本信息
| 申请号 | CN201410131694.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103956404B | 公开（公告）日 | 2016-06-15 |
| 申请公布号 | CN103956404B | 申请公布日 | 2016-06-15 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/08(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭霞;周弘毅;郭春威;李冲 | 申请（专利权）人 | 苏州北鹏光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 苏州北鹏光电科技有限公司 |
| 地址 | 215021 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城中北区23幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种光电探测器的制备方法，包括如下步骤：在光电探测器结构的光敏面内生长一层p-GaN作为过渡层；在所述过渡层上生长一层p-GaN作为再构结构的晶籽层；在生长完晶籽层后快速升温生长一层p-GaN，形成再构光敏面。本发明的有益效果在于：提供了一种广角光电探测器的制备方法，高效可靠，通过在光电探测器表面再构，打破菲涅尔反射系数入射角的限制，降低对入射波长的敏感度，不需加入额外的系统，仅通过单个光电探测器实现广角探测。 |
