低暗电流高速PIN探测器

基本信息

申请号 CN201620751818.1 申请日 -
公开(公告)号 CN205863193U 公开(公告)日 2017-01-04
申请公布号 CN205863193U 申请公布日 2017-01-04
分类号 H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李冲;刘巧莉;丰亚洁;吕本顺;郭霞;王华强;黎奔 申请(专利权)人 苏州北鹏光电科技有限公司
代理机构 南京苏科专利代理有限责任公司 代理人 苏州北鹏光电科技有限公司
地址 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城2号楼505室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型揭示了一种低暗电流高速PIN探测器,包括衬底,所述衬底上生长有P型欧姆接触层,所述P型欧姆接触层上覆盖有增透膜,所述增透膜上设置有至少一个P型欧姆接触电极,所述衬底上端面除P型欧姆接触层外的区域均覆盖有阻隔层,所述阻隔层上覆盖有增透膜,所述衬底下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极,所述衬底上端面开设有第一隔离沟槽,所述衬底下端面开设有第二隔离沟槽,所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽内均填充有阻隔材料,所述第一隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的外周侧,所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽上下对应。本实用新型能够有效减少器件内部的暗电流,效果优异,具有很高的使用及推广价值。