低暗电流PIN探测器及其加工方法
基本信息
| 申请号 | CN201610562077.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105977338A | 公开（公告）日 | 2016-09-28 |
| 申请公布号 | CN105977338A | 申请公布日 | 2016-09-28 |
| 分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李冲;丰亚洁;刘巧莉;吕本顺;郭霞;王华强;黎奔 | 申请（专利权）人 | 苏州北鹏光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 苏州北鹏光电科技有限公司;中证博芯（重庆）半导体有限公司 |
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城2号楼505室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种低暗电流PIN探测器，包括衬底，所述衬底的上端面生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上设置有至少一个与之触接的P型欧姆接触电极，所述衬底上端面生长有针对不同波长的特定厚度的增透膜，所述衬底的上端面开设有两个用于实现器件内部电场与器件边缘阻断的隔离沟槽，所述隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的两侧，所述隔离沟槽内填充有阻隔材料，所述衬底的上端面除所述形槽外的区域均覆盖有阻隔层，所述衬底的下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极。本发明能够有效减少器件内部的暗电流，使用效果优异，具有很高的使用及推广价值。 |
