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低暗电流高速PIN探测器及其加工方法

基本信息

申请号 CN201610562068.8 申请日 -
公开（公告）号 CN105977337A 公开（公告）日 2016-09-28
申请公布号 CN105977337A 申请公布日 2016-09-28
分类号 H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李冲;刘巧莉;丰亚洁;吕本顺;郭霞;王华强;黎奔 申请（专利权）人 苏州北鹏光电科技有限公司
代理机构 南京苏科专利代理有限责任公司 代理人 苏州北鹏光电科技有限公司
地址 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城2号楼505室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明揭示了一种低暗电流高速PIN探测器，包括衬底，所述衬底上生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上覆盖有增透膜，所述增透膜上设置有至少一个P型欧姆接触电极，所述衬底上端面除P型欧姆接触层外的区域均覆盖有阻隔层，所述阻隔层上覆盖有增透膜，所述衬底下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极，所述衬底上端面开设有第一隔离沟槽，所述衬底下端面开设有第二隔离沟槽，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽内均填充有阻隔材料，所述第一隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的外周侧，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽上下对应。本发明能够有效减少器件内部的暗电流，效果优异，具有很高的使用及推广价值。