一种SOI混合集成激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910290375.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109921282A | 公开（公告）日 | 2019-06-21 |
| 申请公布号 | CN109921282A | 申请公布日 | 2019-06-21 |
| 分类号 | H01S5/22（2006.01）I; H01S5/068（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈思乡; 宋泽; 张奇; 吕康伟; 唐山; 熊焰 | 申请（专利权）人 | 光联迅通科技集团有限公司 |
| 代理机构 | 成都诚中致达专利代理有限公司 | 代理人 | 曹宇杰 |
| 地址 | 621000 四川省绵阳市游仙经济开发区凯越路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种SOI混合集成激光器，包括SOI衬底、形成于SOI衬底上且相对设置的反射结构、位于反射结构之间的三五族有源区波导。通过在SOI衬底上制作的一维光子晶体波导实现三五族有源区波导与SOI衬底的硅波导层之间的耦合转换，并利用光子晶体的圆孔填充负折射率温度系数的聚合物材料，实现整体的折射率稳定，不随温度变化而改变，不需要使用TEC来控制温度，可极大降低了光模块/光器件的功耗，减小器件封装空间，有利于光器件通道速率扩容，便于全光互联技术的实现。 |
