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一种光电探测装置及其制造方法

基本信息

申请号 CN202010632893.7 申请日 -
公开（公告）号 CN111755536A 公开（公告）日 2020-10-09
申请公布号 CN111755536A 申请公布日 2020-10-09
分类号 H01L31/0232(2014.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 祁帆;苏宗一;石彬;蔡鹏飞;潘栋 申请（专利权）人 NANO科技（北京）有限公司
代理机构 北京京万通知识产权代理有限公司 代理人 NANO科技（北京）有限公司
地址 100094北京市海淀区永丰路9号院2号楼4层101
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种光电探测装置及其制造方法，该光电探测装置包括：衬底，在所述衬底的顶部设置有波导层，所述波导层包括沿水平X轴方向设置的输入段波导和探测段波导；所述探测段波导层的末端为波导后端面；雪崩倍增探测区，其设置在所述探测段波导层之上，包括沿竖直Z轴方向依次设置的倍增层、吸收层和顶接触层；反射体，其沿水平X轴方向连接到所述波导后端面；其中，所述反射体由一维光子晶体、二维光子晶体或体块材料中的一种构成。本发明简化了光电探测装置中的反射体的设计结构，降低了制造成本；增强了光电探测装置的响应度，允许光电探测装置同时获得较高的响应度和较快的响应速度。