基于硅基可协变衬底制备氧化锌薄膜的方法
基本信息
| 申请号 | CN202210293497.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114664664A | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN114664664A | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L21/365（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪明堂;赵健州;何立波;吴俊美 | 申请（专利权）人 | 广东省智能机器人研究院 |
| 代理机构 | 东莞卓为知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖园区学府路1号5栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种基于硅基可协变衬底制备氧化锌薄膜的方法，包括：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底，放入MOCVD设备中；排净MOCVD设备中反应室中的空气；在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上生长氧化锌薄膜；待反应室压强升至常压，温度降至常温后，关闭载气，从MOCVD设备中取出氧化锌薄膜样品。本发明采用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为可协变衬底，可以协调Si衬底上制备生长的ZnO外延层的失配应变，既降低了膜层内积聚的残余应力，还提高了薄膜的生长质量。本发明的原材料和设备成本低，工艺简单，提高了样品的清洁度和结晶质量。 |
