一种ZnO薄膜生长用的MOCVD设备

基本信息

申请号 CN202210290119.1 申请日 -
公开(公告)号 CN114657536A 公开(公告)日 2022-06-24
申请公布号 CN114657536A 申请公布日 2022-06-24
分类号 C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;F16F15/067(2006.01)I;B03C3/017(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 倪明堂;赵健州;何立波;吴俊美 申请(专利权)人 广东省智能机器人研究院
代理机构 东莞卓为知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 -
地址 523000广东省东莞市松山湖园区学府路1号5栋
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种ZnO薄膜生长用的MOCVD设备,其包括反应室、气体运输系统、控制系统、反应加工系统及减振平衡系统,所述反应加工系统包括喷枪装置、旋转组件、放置平台及升降机构,所述反应室设有温度变色胶贴,所述减振平衡系统包括减振组件及平衡组件。本发明通过设置温度变色胶贴用于将温度变化直观的反馈的操作人员,便于快速知晓MOCVD设备的温度情况及时调整温度;通过设置升降机构用于快速调整平台一的高度,使得MOCVD设备可根据需求用于不同厚度的衬底物料的放置及加工,可生产出不同厚度需求的ZnO薄膜,提高适用性;通过设置减振平衡系统用于提供减振功能及水平校正功能,提高喷涂的平衡及均匀性,提高产品质量。