一种氧化锌的薄膜生长方法

基本信息

申请号 CN202210290120.4 申请日 -
公开(公告)号 CN114574961A 公开(公告)日 2022-06-03
申请公布号 CN114574961A 申请公布日 2022-06-03
分类号 C30B25/18;C30B25/16;C30B29/16 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 倪明堂;赵健州;何立波;吴俊美 申请(专利权)人 广东省智能机器人研究院
代理机构 东莞卓为知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 汤冠萍
地址 523000 广东省东莞市松山湖园区学府路1号5栋
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种氧化锌的薄膜生长方法,包括以下步骤:选用蓝宝石衬底作为生长ZnO薄膜材料的衬底;将清洗过的衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上;将反应室抽真空至3*10‑3Pa以下,以排净反应室中的空气;充入氮气和氢气的混合气体对衬底进行高温预处理3‑8min,高温预处理的温度为1000℃‑1200℃;将衬底降温到适合ZnO薄膜生长的温度;打开反应室衬底底座旋转开关,使得衬底匀速旋转;在MOCVD设备中利用载气从衬底侧面通入锌源和氧源,锌源和氧源在高速选择中转和加热均匀的衬底上会合并反应,在衬底上生长成ZnO薄膜;关闭锌源和氧源载气,待反应室压强升至常压,温度降至常温后从MOCVD设备中取出ZnO薄膜样品。