一种异质结势垒变容管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201010543264.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102468345B | 公开（公告）日 | 2013-12-25 |
| 申请公布号 | CN102468345B | 申请公布日 | 2013-12-25 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 董军荣;黄杰;田超;杨浩;张海英 | 申请（专利权）人 | 北京中科仁健科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种异质结势垒变容管及其制备方法，属于微波器件中变容管技术领域。所述变容管包括从重掺杂GaAs帽层到GaAs衬底的两个台阶结构，以及从重掺杂GaAs帽层到重掺杂GaAs沟道层的一个台阶结构，三个台阶结构上覆盖有介质层，介质层上设有引线和PAD。本发明异质结势垒变容管中PAD处在衬底层与接触金属形成台阶上，连接引线采用爬坡形式将PAD与阴阳极分别连接，避免了复杂的空气桥结构，制作简便，易于实现。 |
