半导体器件及其形成方法
基本信息
申请号 | CN201711463341.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109979822B | 公开(公告)日 | 2022-03-22 |
申请公布号 | CN109979822B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张城龙;涂武涛;王胜 | 申请(专利权)人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣;吴敏 |
地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:在半导体衬底和鳍部上形成介质层,介质层中具有暴露出鳍部的沟槽,沟槽包括暴露出部分鳍部的第一槽区和暴露出部分鳍部的第二槽区,自第一槽区中心至第二槽区中心的方向垂直于鳍部的延伸方向;在沟槽第一槽区和第二槽区的侧壁和底部形成位于鳍部上的第一功函数层;在沟槽第一槽区中形成第一覆盖层,第一覆盖层位于第一槽区的第一功函数层上且暴露出第二槽区的第一功函数层;以第一覆盖层为掩膜刻蚀去除第二槽区的第一功函数层;刻蚀去除第二槽区的第一功函数层后,在沟槽第二槽区中形成第二覆盖层;刻蚀去除第二覆盖层和第一覆盖层。所述方法提高了半导体器件的性能。 |
