半导体结构及其形成方法

基本信息

申请号 CN201711173965.0 申请日 -
公开(公告)号 CN109817525B 公开(公告)日 2022-03-22
申请公布号 CN109817525B 申请公布日 2022-03-22
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李勇 申请(专利权)人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 徐文欣;吴敏
地址 201203上海市浦东新区张江路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体结构及其形成方法,其中,方法包括:提供基底,基底包括第一区;在所述第一区基底上形成第一栅极结构和位于第一栅极结构两侧基底内的第一源漏掺杂区,所述第一源漏掺杂区内具有第一掺杂离子,所述第一源漏掺杂区内第一掺杂离子具有第一原子百分比浓度;形成第一栅极结构和第一源漏掺杂区之后,在所述第一源漏掺杂区顶部形成第一改善层,第一改善层内所述第一掺杂离子具有第二原子百分比浓度,且所述第二原子百分比浓度大于第一原子百分比浓度。所述方法形成的半导体器件能够降低第一源漏掺杂区与后续形成的插塞之间接触电阻的同时,还能够抑制短沟道效应。