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纳米线器件及其形成方法

基本信息

申请号 CN201711275119.X 申请日 -
公开（公告）号 CN109888014B 公开（公告）日 2022-03-22
申请公布号 CN109888014B 申请公布日 2022-03-22
分类号 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 刘轶群 申请（专利权）人 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 吴敏
地址 201203上海市浦东新区张江路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种纳米线器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有前驱层；刻蚀所述前驱层，形成沟道纳米线，所述沟道纳米线的表面均属于{111}晶面族。通过对所述沟道纳米线表面结构的选择，为后续高质量高K栅介质层，甚至单晶结构高K栅介质层的形成提供良好的工艺基础，进而达到提高高K栅介质层介电常数和致密度，改善所形成全包围栅极结构的电学性能的目的。