纳米线器件及其形成方法
基本信息
申请号 | CN201711275119.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109888014B | 公开(公告)日 | 2022-03-22 |
申请公布号 | CN109888014B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 刘轶群 | 申请(专利权)人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴敏 |
地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种纳米线器件及其形成方法,所述形成方法包括:提供衬底,所述衬底上具有前驱层;刻蚀所述前驱层,形成沟道纳米线,所述沟道纳米线的表面均属于{111}晶面族。通过对所述沟道纳米线表面结构的选择,为后续高质量高K栅介质层,甚至单晶结构高K栅介质层的形成提供良好的工艺基础,进而达到提高高K栅介质层介电常数和致密度,改善所形成全包围栅极结构的电学性能的目的。 |
