纳米线器件及其形成方法

基本信息

申请号 CN201711275119.X 申请日 -
公开(公告)号 CN109888014B 公开(公告)日 2022-03-22
申请公布号 CN109888014B 申请公布日 2022-03-22
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘轶群 申请(专利权)人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 吴敏
地址 201203上海市浦东新区张江路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种纳米线器件及其形成方法,所述形成方法包括:提供衬底,所述衬底上具有前驱层;刻蚀所述前驱层,形成沟道纳米线,所述沟道纳米线的表面均属于{111}晶面族。通过对所述沟道纳米线表面结构的选择,为后续高质量高K栅介质层,甚至单晶结构高K栅介质层的形成提供良好的工艺基础,进而达到提高高K栅介质层介电常数和致密度,改善所形成全包围栅极结构的电学性能的目的。