半导体器件及其形成方法

基本信息

申请号 CN201710907177.3 申请日 -
公开(公告)号 CN109585534B 公开(公告)日 2022-03-22
申请公布号 CN109585534B 申请公布日 2022-03-22
分类号 H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 周飞 申请(专利权)人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 徐文欣;吴敏
地址 201203上海市浦东新区张江路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底上具有鳍部;在所述半导体衬底和鳍部上形成牺牲介质层,牺牲介质层中具有贯穿牺牲介质层且位于鳍部上的栅开口;在栅开口中形成横跨鳍部的栅极结构;形成栅极结构后,去除牺牲介质层;去除牺牲介质层后,在栅极结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能,且降低了工艺难度。