半导体器件及其形成方法

基本信息

申请号 CN201711482282.3 申请日 -
公开(公告)号 CN109994547B 公开(公告)日 2022-03-22
申请公布号 CN109994547B 申请公布日 2022-03-22
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 周飞 申请(专利权)人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 徐文欣;吴敏
地址 201203上海市浦东新区张江路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体器件及其形成方法,包括:提供半导体衬底,半导体衬底上具有鳍部,鳍部包括若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层中的第二鳍部层;形成横跨鳍部的伪栅极结构;之后在伪栅极结构侧壁形成侧墙;之后在伪栅极结构和侧墙两侧的鳍部内形成第一凹槽;刻蚀第一凹槽底部的鳍部,形成第二凹槽;对第二凹槽侧壁暴露出的鳍部掺杂第一离子;之后在第一凹槽和第二凹槽内形成源漏掺杂层;之后在鳍部和隔离结构上形成介质层;之后去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层,在所述介质层内及相邻的第一鳍部之间形成栅开口;在所述栅开口内形成栅极结构。所述方法提高了半导体器件的性能。