半导体结构及其形成方法

基本信息

申请号 CN201710622580.1 申请日 -
公开(公告)号 CN109309005B 公开(公告)日 2022-03-22
申请公布号 CN109309005B 申请公布日 2022-03-22
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李勇;周鸣 申请(专利权)人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 吴敏
地址 201203上海市浦东新区张江路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底以及位于衬底上分立的鳍部,衬底包括周边区;在衬底上形成保护层,保护层至少露出鳍部顶部;形成保护层后,对鳍部进行氧等离子体处理;去除保护层;去除保护层后,形成横跨鳍部的栅氧化层,栅氧化层覆盖鳍部的部分侧壁和部分顶部表面。在氧等离子体处理的作用下,沿鳍部顶部指向底部的方向上,部分厚度的鳍部内掺杂有氧离子,因此使得栅氧化层在鳍部顶部的生长速率加快,从而鳍部顶部的栅氧化层厚度增加,相应降低周边器件的栅诱导漏极漏电流,进而改善周边器件的电学性能和可靠性。