半导体结构及其形成方法
基本信息
申请号 | CN201710622580.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109309005B | 公开(公告)日 | 2022-03-22 |
申请公布号 | CN109309005B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 李勇;周鸣 | 申请(专利权)人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴敏 |
地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底以及位于衬底上分立的鳍部,衬底包括周边区;在衬底上形成保护层,保护层至少露出鳍部顶部;形成保护层后,对鳍部进行氧等离子体处理;去除保护层;去除保护层后,形成横跨鳍部的栅氧化层,栅氧化层覆盖鳍部的部分侧壁和部分顶部表面。在氧等离子体处理的作用下,沿鳍部顶部指向底部的方向上,部分厚度的鳍部内掺杂有氧离子,因此使得栅氧化层在鳍部顶部的生长速率加快,从而鳍部顶部的栅氧化层厚度增加,相应降低周边器件的栅诱导漏极漏电流,进而改善周边器件的电学性能和可靠性。 |
