一种高电子利用率低能电离装置、质谱系统及方法

基本信息

申请号 CN201810194678.6 申请日 -
公开(公告)号 CN108493091B 公开(公告)日 2020-03-24
申请公布号 CN108493091B 申请公布日 2020-03-24
分类号 H01J49/14;H01J49/42;G01N27/64 分类 基本电气元件;
发明人 黄泽建;刘广才;方向;江游;龚晓云;翟睿;谢洁;刘梅英 申请(专利权)人 上海砺沐科学仪器有限公司
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人 王莹;吴欢燕
地址 201800 上海市嘉定区新徕路438号1幢208室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例提供了一种高电子利用率低能电离装置、质谱系统及方法,包括:电离室、电子入射栅网及低能电场组件;所述电离室,位于所述电子入射栅网内侧,用于容纳待测物分子与电子,所述电子轰击所述待测物分子进行电离;所述电子入射栅网,安装在所述电离室与所述低能电场组件之间,用于提高电子利用率;所述低能电场组件,安装在所述电子入射栅网外侧,用于生成低能电场。一种采用所述电离装置的质谱系统,以及采用了所述质谱系统的质谱方法。本发明可以有效减少待测物分子产生的碎片离子并提高电子利用率,从而在气体成分的检测中不需要再借助色谱。