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基于平面S型结的耐高压元件及制造工艺

基本信息

申请号 CN201910910852.7 申请日 -
公开（公告）号 CN110518061A 公开（公告）日 2019-11-29
申请公布号 CN110518061A 申请公布日 2019-11-29
分类号 H01L29/06;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329 分类 基本电气元件;
发明人 潘旭捷;曲迪 申请（专利权）人 华慧高芯科技（深圳）有限公司
代理机构 天津市鼎和专利商标代理有限公司 代理人 华慧高芯科技（深圳）有限公司
地址 518052 广东省深圳市南山区粤海街道软件产业基地4栋A座702室A08
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于平面S型结的耐高压元件及制造工艺，涉及半导体技术领域，其特征在于：至少包括：单晶硅片、位于单晶硅片上表面的第二导电类型轻掺层、位于第二导电类型轻掺层一端的第一导电类型重掺杂层、位于第二导电类型轻掺层另一端的第二导电类型重掺层、与第一导电类型重掺杂层连通的第一电极、与所述第二导电类型重掺层连通的第二电极；相邻两条导电类型轻掺层之间为第一绝缘层；每条导电类型轻掺层的两侧均为第一绝缘层；第二导电类型轻掺层、第一绝缘层、第一导电类型重掺杂层和第二导电类型重掺层位于同一平面内；第一电极平行于上述导电类型轻掺层；第二电极平行于上述导电类型轻掺层；位于所述平面上的第一绝缘层。