一种阻变存储器及其制备方法、电子装置
基本信息
| 申请号 | CN201410494486.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105514264A | 公开（公告）日 | 2016-04-20 |
| 申请公布号 | CN105514264A | 申请公布日 | 2016-04-20 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 康劲;卜伟海 | 申请（专利权）人 | 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 | 代理人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种RRAM及其制备方法、电子装置，所述方法包括：提供下电极；在所述下电极上形成介电层；在所述介电层中形成沟槽/通孔，所述沟槽/通孔底部暴露出所述下电极；在所述沟槽/通孔中依次形成阻挡层、阻变材料层和牺牲层；去除部分所述牺牲层；去除所述阻变材料层和所述阻挡层未被剩余的牺牲层覆盖的部分；去除所述剩余的牺牲层；以及在所述沟槽/通孔中形成上电极。根据本发明提供的RRAM的制备方法，在介电层和阻变材料层之间加入一阻挡层，可以避免介电层中的氧与阻变材料层进行交换，从而避免阻变材料层的阻变特性发生改变。因此，本发明提供的方法可以改善RRAM器件的可靠性和稳定性。 |
